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产品信息
FET特点：逻辑电平门漏极至源极电压(Vdss)：30VId时的Vgs(th)（）：1.5V @ 250μA闸电荷(Qg) @ Vgs：13nC @ 4.5V在Vds时的输入电容(Ciss)：1.4W安装类型：表面贴装英文描述：P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
中文描述：的P -沟道增强型场效应晶体管
FET特点：逻辑电平门漏极至源极电压(Vdss)：30VId时的Vgs(th)（）：1.5V @ 250μA闸电荷(Qg) @ Vgs：13nC @ 4.5V在Vds时的输入电容(Ciss)：1.4W安装类型：表面贴装英文描述：P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
中文描述：的P -沟道增强型场效应晶体管